Micron показала DDR5-модуль на 512 ГБ

Micron показала новый модуль оперативной памяти DDR5 объёмом 512 ГБ. Он рассчитан в первую очередь на серверы, где требуется много памяти для работы с ИИ.

Внутри модуля используется вертикальная установка микросхем DRAM с соединением через кремниевые переходы TSV. Память работает на скорости до 9200 MT/s. Сервер с двумя процессорами и 24 слотами для такой памяти сможет получить до 12 ТБ оперативной памяти.

AMD и Intel уже проверяют совместимость новых модулей со своими платформами следующего поколения. Большой объём памяти позволяет хранить больше данных непосредственно в оперативной памяти и быстрее работать с ними.

В Micron обещают, что новый модуль может снизить энергопотребление более чем на 60% по сравнению с четырьмя планками по 128 ГБ. В некоторых задачах обработки данных компания также заявляет до 1,4 раза прироста производительности по сравнению с системами на 256 ГБ DDR5.